О КОМПАНИИ

ПАО "МИКРОН"

ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» - крупнейший производитель чипов в России и СНГ, образован в 1964 году. Компания выполняет полный цикл изготовления чипов, включающий проектирование, кристальное производство, сборку и продажи. Занимает 28% рынка микроэлектронных компонентов для высокотехнологичных предприятий России и является крупнейшим российским экспортером чипов.

В 2005 году «Микрон» начал инвестиционную программу по запуску уникальных для России проектов:
Переход на уровень 0,18 мкм в 2006 году - укрепление технологического лидерства в российской микроэлектронике;
Сборка чип-модулей для смарт-карт и электронных документов с весны 2006 г;
Открытие нового Центра проектирования в мае 2005 г. Сокращение сроков проектирования и повышение уровня сложности проектов. Осуществление роли интегратора разработок российских компаний в области микроэлектроники.

Новые производства будут, в том числе, ориентированы на выпуск электронной страницы для биометрических паспортов.

Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон», крупнейшего российского производителя интегральных микросхем и RFID-продукции, входящего в отраслевой холдинг ОАО «РТИ» (АФК «Система»), своим решением назначил Гульнару Хасьянову генеральным директором «Микрона». Академик РАН Геннадий Красников займет пост председателя Совета директоров компании. Он также продолжит занимать пост генерального директора АО «НИИ молекулярной электроники».

Под руководством Геннадия Красникова на «Микроне» был успешно совершен научно-технологический прорыв, который сегодня определяет независимость России в области применения элементной базы для современных банковских технологий, систем идентификации, транспорта и логистики, индустриальной и специальной электроники для ОПК и космической отрасли. На новых производственных линиях успешно поставлены технологии 180-90-65нм и освоены в серийном производстве уникальные изделия электронной техники, определяющие современный уровень высокотехнологичного сектора экономики РФ.

Основной задачей Гульнары Хасьяновой на посту генерального директора «Микрона» станет расширение масштабов бизнеса предприятия за счет дальнейшей коммерциализации новых технологических возможностей. «Помимо развития продаж новой конкурентоспособной продукции «Микрона» на российском и мировом рынке, а также предоставления российским дизайн-центрам широких возможностей по локализации производства их изделий на российской фабрике, мы планируем в ближайшем будущем выйти на новый уровень уже в области интеграции. Это будет переход от традиционной серийной продажи микросхем к разработке и поставке законченных системных решений, основанных на отечественной микроэлектронике. Уверена, такой подход будет не только стимулировать процессы импортозамещения в технологическом секторе экономики, но и окажет существенное влияние на инновационное развитие России», - прокомментировала Гульнара Хасьянова свое новое назначение.

Геннадий Красников на посту генерального директора АО «НИИ молекулярной электроники» сосредоточится на развитии уже сформировавшейся научной школы в области исследований и разработки новых технологий создания современных интегральных микросхем. «Переход на новые топологические размеры, обеспечение дальнейшей разработки новых изделий невозможны без создания соответствующей научно-технологической базы. Для решения актуальных задач современной и перспективной микроэлектроники на базе АО «НИИ молекулярной электроники» и институтов РАН мы создали консорциум - своего рода «сплав» научного и производственного потенциала ведущих организаций отрасли, синергия которого станет заделом для дальнейшего развития отечественной микроэлектроники и обеспечит постановку в производство новых изделий», - прокомментировал Геннадий Красников.

Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ) и завод «Микрон» был создан в 1964г. для разработки и промышленного производства отечественных интегральных микросхем в г. Зеленоград.

Сегодня АО «НИИМЭ и Микрон» - головное предприятие группы компаний «Микрон». Наиболее крупный акционер АО «НИИМЭ и Микрон» - ЗАО «РТИ Микроэлектроника».

«Микрон» - самое современное по уровню технологий и оснащенности микроэлектронное предприятие в России, крупнейший производитель полупроводниковой продукции в СНГ и Восточной Европе. На предприятии производится более 500 видов микросхем и полупроводниковых изделий. Продукция АО "НИИМЭ и Микрон" поставляется практически во все регионы России, стран СНГ, Китай и страны Юго-Восточной Азии. На «Микроне» работают около 1700 человек, 43% сотрудников имеют высшее образование, 31 человек научную степень.

Стратегическая цель предприятия - укрепление своих позиций на внутреннем рынке путем преодоления технологического отставания от мировых производителей и создание в России современного производства микросхем, способного обеспечить отечественных потребителей микроэлектроники, транспортных приложений, смарт-карт продукцией, отвечающей самым высоким требованиям.

С 2006 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» реализует проект модернизации производства, в рамках которого был осуществлен уникальный трансфер и освоение технологии 180 нм EEPROM лидера европейской микроэлектроники, компании №5 в мире STMicroelectronics. Поставщиками оборудования и материалов, партнерами по созданию инфраструктуры выступили более 50 компаний из 12 стран мира. Среди них M+W Zander, Air Liquid, Hager+Elsasser, Applied Materials, ASML и другие. Сегодня в «чистой комнате», открытой в 2007 году, по данной технологии производят интегральные схемы на пластинах 200 мм для транспортных и смарт-карт, чипы памяти, прототипы интегральных схем для социальных и банковских карт, биометрических паспортов.

В 2012 году в партнерстве с государственной корпорацией РОСНАНО реализован проект по созданию на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон» производственной линейки интегральных схем на основе наноэлектронной технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм. Технологический партнер проекта - компания STMicroelectronics. Запуск новой линии позволил нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год.
В 2014 году ОАО «НИИМЭ и Микрон» завершил разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нанометров и планирует в 2015 году начать их серийное производство.

«Микрон» обладает мощной научной и инженерной школой. Ежегодно 15-20% выручки компании приходится на исследования и разработки, на данном направлении работы задействованы около 400 человек. 12 сотрудников ранее работали за рубежом, 120 человек прошли обучение на самых современных заводах США, Европы и Японии. На «Микроне» прошло становление двух академиков (АН СССР и РАН) и четырех членов-корреспондентов.

Предприятие имеет около 400 заказчиков в России и 100 за рубежом, сотрудничая на постоянной основе с более чем 60 отраслевыми и академическими НИИ и центрами проектирования.

На ОАО «НИИМЭ и Микрон» внедрена и поддерживается система менеджмента качества, удовлетворяющая требованиям ISO 9001:2008. В 2008 г. «Микрон» первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал производство по стандартам Системы экологического менеджмента ISO 14001 и Системы энергетического менеджмента ISO 50001-2011. Производственная площадка и лабораторная база «Микрона» играют роль ядра, вокруг которого возрождается российская «силиконовая долина».

ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ

Головное предприятие группы компаний «Микрон» обладает мощным R&D центром, на постоянной основе сотрудничающим более чем с 60 научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования. Сегодня в исследовательском центре микро- и наноэлектроники с современной экспериментальной и вычислительной базой заняты более 400 человек. Ежегодно на НИОКР приходится около 15% выручки предприятия, что соответствует мировой практике инновационного бизнеса. ОАО «НИИМЭ и Микрон» создает современную инфраструктуру проектирования сложных интегральных схем типа «система на кристалле», необходимую не только Микрону, но и другим дизайн-центрам России.

Основные направления исследований и разработок ОАО «НИИМЭ и Микрон»:

1. Исследование и разработка элементной базы микро- и наноэлектроники

EEPROM, КМОП 180-90 нм – транзисторы, элементы энергонезависимой памяти

Полевые эмиссионные наноструктуры

Элементная база радиационно-стойких КМОП СБИС на основе структур «кремний на изоляторе»

Элементная база СВЧ БиКМОП СБИС на основе гетероструктур Si-Ge

Освоение методов приборно-технологического моделирования новой элементной базы

Разработка элементной базы полевой эмиссионной микро-наноэлектроники (ПЭМ)

Основные характеристики разработок:

Транспорт электронов баллистический: осуществляется в вакууме, поэтому отсутствуют потери скорости и мощности при столкновениях в транспортной среде

Академик РАН, Председатель Совета директоров ПАО «Микрон», Генеральный директор АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор.

Академик РАН, Председатель Совета директоров ПАО «Микрон», Генеральный директор АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор.

Выпускник физико-технического факультета Московского института электронной техники 1981 года.
C 1981 года (последовательно) инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель генерального директора,
С 1991 года - генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор ОАО «НИИМЭ» (с 2011 года выделен в отдельное дочернее предприятие).
В 1999-2003гг - генеральный директор Концерна «Научный центр»
В 2005-2012гг - руководитель бизнес-направления «Микроэлектронные решения» в ОАО «Ситроникс».
Член-корреспондент РАН (1997), академик РАН (2008) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий, почетный доктор Академического университета РАН (2015), действительный член российской Академии инженерных наук им. А.М. Прохорова.
Автор и соавтор более 300 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.
Руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, состоял в Совете при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», сопредседатель экспертного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы Российской Федерации, член 2-х экспертных советов по присуждению премии Правительства РФ в области науки и техники, входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council - Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).
Возглавляет базовую кафедру «микро и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (ГУ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.
Главный редактор журнала "Электронная техника. Серия "Микроэлектроника", член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника».
Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), Государственной премией Российской Федерации (2014), двумя премиями Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009), медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2016).

Генеральный директор ПАО «Микрон»

Генеральный директор ПАО «Микрон»

В 1992 г. окончила Московский Технический Университет связи и информатики МТУСИ по специальности «Экономика и управление в связи», инженер-экономист. В 1996 г. окончила программу повышения квалификации для руководящих работников отрасли связи Duke University. В 1997-2002 гг. прошла стажировку в компаниях: «Deutsche Telecom», «France Telecom», «Telstra». В 2015 г. окончила НИУ «Высшая школа экономики». Прошла профессиональную переподготовку по программе «Маркетинг и производство в цифровых медиа. Advanced». Кандидат экономических наук.
1992-2003 - специалист по маркетингу, начальник отдела маркетинга, начальник отдела маркетинга и ценных бумаг, начальник отдела развития бизнеса в ОАО «Ростелеком», филиал «Московский междугородный и международный телефон».
2003-2005 - начальник управления маркетинга, заместитель Коммерческого директора, заместитель Генерального директора - Коммерческий директор ОАО «Ростелеком». 2005-2007 - Заместитель Генерального директора по коммерческой деятельности ОАО «Межрегиональный Транзит Телеком».
2007-2011 - Генеральный директор ЗАО «Скай Линк».
2011-н.вр. - Исполнительный директор Союза операторов мобильной связи ЛТЕ.
2014-2016 - Президент ОАО «Система Масс-Медиа».
С января 2016 г. - Председатель Совета директоров ОАО «Система Масс-Медиа».
Январь-апрель 2016 г. - Назначена первым заместителем Генерального директора ОАО «НИИМЭ и Микрон».
27 апреля 2016 г. - Назначена Генеральным директором ПАО "Микрон".

Лауреат ряда отраслевых рейтингов «Топ-1000 российских менеджеров» Ассоциации менеджеров России (ТОП-3 2008), рейтинга ведущих менеджеров ИКТ-отрасли-2008 (ТОП-50 Агентства политических и экономических коммуникаций АПЭК), Рейтинг «Эхо Москвы» 100 самых влиятельных женщин России (2011), самых влиятельных деловых женщин России (ТОП-50 журнала «Финанс» (2008, 2010гг.), ТОП-100 журнала «Компания» (ИД Родионова, 2010г.), «200 самых профессиональных коммерческих директоров России-2003» (ТОП-20), «100 самых профессиональных карьер в бизнесе и власти» Ассоциации менеджеров России и газеты «КоммерсантЪ» (2000-2004 гг.) и др.

Первый заместитель генерального директора - операционный директор ПАО «Микрон»

Первый заместитель генерального директора - операционный директор ПАО «Микрон»

Родился 10 июля 1976 года в п. Серышево Серышевского района Амурской области.
В 1998 году окончил Военно-воздушную инженерную академию им. профессора Н.Е. Жуковского по специальности «Автоматизированные системы управления», инженер электронной техники.
С августа 1993 года по июнь 1999 года служил в вооруженных силах РФ.
Трудовую деятельность начал в октябре 1999 года инженером – программистом ЗАО «Телмос», с ноября 2002 года по июнь 2007 года работал специалистом по разработке ПО, системным архитектором, руководителем группы, начальником отдела ОАО «ВымпелКом».
С июня 2007 года по декабрь 2008 – директор по информационным технологиям ЗАО «Скай Линк».
С декабря 2008 года по апрель 2016 года последовательно занимал должности руководителя ряда крупных компаний телекоммуникации и связи:
12.2008 - 02.2010 Генеральный директор, зам. генерального директора – директор филиала ЗАО «Астарта»
02.2010 - 04.2011 Генеральный директор ОАО «Московская Сотовая Связь»
06.2011 - 08.2012 Региональный директор ОАО «Вымпел- Коммуникации»

09.2012 - 05.2014 Генеральный директор «Амедиа ТВ»
05.2014 - 02.2015 Генеральный директор «МТС - Спутниковое ТВ»
02.2015 - 04.2016 Председатель Совета Директоров «Орион Экспресс»
В апреле 2016 года назначен на должность первого заместителя генерального директора – операционного директора ОАО «НИИМЭ и Микрон».

Заместитель генерального директора по развитию бизнеса ПАО «Микрон»

Родился 17 февраля 1967 года.

Заместитель генерального директора по развитию бизнеса ПАО «Микрон»

Родился 17 февраля 1967 года.
В 1988 году окончил Московский институт инженеров железнодорожного транспорта по специальности «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транспорте», инженер путей сообщения – электрик.
1988 – 1991гг. Инженер – наладчик Специализированного строительно-монтажного поезда
1991 – 2000гг. Инженер по измерениям и защите, начальник линейно-технического цеха, главный инженер, первый заместитель директора Воскресенского узла электросвязи – филиала ОАО «Электросвязь» Московской области
2000 – 2001гг. Директор по развитию бизнеса в России компании «Шмид Телеком»
2001 –2003гг. Начальник отдела, директор Департамента комплексных продаж ОАО «Российская телекоммуникационная сеть»
2003 – 2012гг. Директор, заместитель генерального директора Центрального филиала ОАО «Ростелеком», первый заместитель генерального директора, старший вице – президент ОАО «Ростелеком»
2012 – 2012гг. Генеральный директор ООО «ИН-ИНФОКОМ»
2015 – 2016гг. Исполнительный директор ООО «Телеком – Защита»
В мае 2016 года назначен заместителем генерального директора по развитию бизнеса ОАО «НИИМЭ и Микрон».

Заместитель генерального директора по производству ПАО «Микрон»

Заместитель генерального директора по производству ПАО «Микрон»

Родился 24 мая 1975 года в г. Тамбове.
Образование высшее, в 1997 году окончил Московский государственный институт электронной техники (ТУ) по специальности «Конструирование и технология электронно-вычислительных устройств», инженер.
Трудовую деятельность в ОАО «НИИМЭ и Микрон» начал в 1997 году молодым специалистом после окончания института. Работал инженером-технологом, заместителем начальника цеха, начальником цеха.
С марта 2005 по октябрь 2005 года занимал должность директора производства кристаллов
В октябре 2005 года в связи с реорганизацией производства назначен на должность начальника цеха, которую занимал до октября 2009 года.
С октября 2009 года по май 2016 года занимал должность начальника производства кристаллов.
В мае 2016 года назначен заместителем генерального директора по производству.

Заместитель Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон»

Родился 8 февраля 1973.

Заместитель Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон»

Родился 8 февраля 1973.
В 1995 окончил факультет автоматизации и информатики Липецкого государственного технического университета. В 1999г. - Липецкий филиал Всероссийского заочного финансово-экономического института, специальность экономист.
Ранее работал на Новолипецком металлургическом комбинате и в одном из бизнесов ГК Ренова на руководящих должностях в финансовых службах компаний. За высокие достижения награжден высшими корпоративными наградами. В 2014-2015 году являлся Исполнительным вице-президентом RFP group, г. Хабаровск. С 02.2017 назначен на должность заместителя Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон».

Заместитель генерального директора по управлению коммуникациями ПАО «Микрон»